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  受DRAM和NAND闪存成本持续飙升影响，苹果iPhone 18系列高配机型或将迎来明显涨价。据投资机构分析，12GB LPDDR5X内存模块成本已从2025年初的25-29美元大面积上涨至约70美元，涨幅高达230%。花旗、美国银行和摩根大通一致认为，即便强如苹果的供应链控制力，在此次全行业内存供应危机中作用也相当有限。行业分析进一步指出，预计iPhone 18系列中仅高存储容量机型将涨价50-100美元，而基础存储版本则有望维持去年定价水平。这一差异化的调价策略，很可能引导更多消费者倾向于选择入门存储配

  财联社1月7日电，存储芯片概念大面积高开，普冉股份20cm涨停，走出3天2板，恒烁股份、香农芯创、开普云、江波龙高开超10%，时空科技、德明利、兆易创新、大为股份、北京君正、神工股份跟涨。消息面上，美股SanDisk收涨超27%，创去年2月份以来最大单日涨幅。西部数据涨超16%，创逾五年来最大单日涨幅。美光科技涨超10%，再创历史新高。

  英飞凌HYPERRAM™存储芯片及IP成功通过AMD Spartan™ UltraScale+™ FPGA SCU35评估套件测试

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布，AMD 已测试英飞凌 64MB HYPERRAM™ 存储芯片和 HYPERRAM™ 控制器 IP 在 AMD Spartan™ UltraScale+™ FPGA SCU35 评估套件上的使用情况，结果证明其可作为 AMD MicroBlaze™ V 软核 RISC-V 处理器经济高效的高带宽存储解决方

  戴尔、惠普等科技公司警告称，受人工智能基础设施建设需求飙升影响，未来一年也许会出现存储芯片供应短缺。存储芯片分为处理辅助型和信息存储型两类，制造商正将更多产能转向满足AI系统所需的新型、复杂且高利润产品需求，导致普通型存储芯片供应不足。而美国的制裁措施限制了中国新兴芯片企业的技术能力，进一步加剧了供应紧张局面。存储芯片大范围的应用于几乎所有现代数据存储电子设备，供应短缺可能会引起从手机、医疗设施到汽车等各种类型的产品的制造成本上升。AI需求成为最优先级AI基础设施建设热潮不仅推高了大型数据中心周边地区的能源消耗，也提振

  半导体设备巨头美国应用材料（Applied Materials）表示，受美国收紧出口管制导致市场准入受限影响，预计2026年其在中国的芯片制造设备支出将下降，但下半年整体营收将有所增长。尽管美国加强出口限制预计将抑制需求，但人工智能投资激增带动的存储芯片产能扩张，可能会部分抵消这一影响。今年10月，美国公布了50%股权穿透的出口管制规则。应用材料公司预测，该规则导致部分产品和服务向中国客户的交付变得更复杂，2025财年第四季度约有1.1亿美元的产品未能交付，导致2026财年营收将减少6亿美元。而该规则在

  ArmorBoot 是 Macronix 的中端安全串行 NOR 闪存，支持安全启动以及其他安全功能，如片上认证支持（见图1）。它能够适用于为使用不内置这些功能的微控制器或微处理器的设计提供安全服务。标准形态意味着存储芯片可以整合到现有设计中，以增强安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全启动和认证等安全基础功能，而高端的ArmorFlash则增加了数据加密和解密等服务。安全启动是指启动码在使用系统启动前经过验证。通常利用密钥认证代码，确保其来源为授权来源且未被修改

  4月24日消息，韩国内存巨头SK海力士公布2025年Q1财报，Q1盈利同比增长158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美元），超过预期的6.6万亿韩元。营收同比增长42%，达到17.63万亿韩元。多个方面数据显示，这是SK海力士第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营收和盈利均创历史上最新的记录。作为英伟达HBM(高带宽存储器)的重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求量开始上涨。2025年Q1，SK海力士在DRAM市场的份额超过三星。报告期内，SK海力士占据了DRAM市场36%的份额，而三星是34%。

  据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。其中，HBM4采用2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将总带宽提高至2TB/s。 还支持 4 / 8 / 12 / 18 层 DRAM 堆栈和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，单堆栈容量可达 64GB。此外，HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（

  4 月 8 日消息，德国铁电存储器公司（FMC）宣布和半导体企业 Neumonda 达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线 年英飞凌、奇梦达德国DRAM 工厂破产关停后，欧洲首次尝试重启存储芯片本土化生产。▲ 图源：Neumonda双方此次合作的核心是 FMC 研发的 DRAM+ 技术。该技术采用 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT 材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-

  今日，存储芯片真正开始涨价浪潮。自此，存储市场长达多半年的低迷态势，终于迎来转折。存储芯片的两大主力产品 NAND 与 DRAM，在新一季度的市场表现也各不相同。NAND，开始涨价打响涨价第一枪的是 NAND 存储大厂闪迪，其表示将于4月1日开始实施涨价，涨幅将超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。紧接着美光也告知将针对新订单提高价格，平均涨幅约 11%。3 月 25 日，美光直接发布涨价函，预计此次涨价幅度将在10%~15%。之后，SK 海力士、三星相继宣布将于4月同步上调NAND闪存价格。根

  3月3日消息，据报道，中微公司宣布拟在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。据披露，中微公司将在2025年至2030年期间投资约30.5亿元，用于该公司在成都市高新区建设研发中心、生产制造基地、办公用房及附属配套设施，配备先进的自动化生产线和高精度检测设备，满足量产需求。此外，该公司将积极推动公司上下游供应链企业落户成都高新区，推动形成半导体高端装备产业链集群。2月21日，中微公司与成都高新区签订合作协议，将在成都高新区落地研发及生产基地暨西南总部

  华为Mate 70系列旗舰手机12月4日正式开卖，研究公司TechInsights拆解后发现，该款手机采用南韩SK海力士制造内存芯片，主因在于美国禁止对中国大陆出口先进芯片制造设备，而大陆制造的内存芯片选择受限。《南华早报》报导，根据TechInsights的分析，华为Mate 70 Pro手机搭载SK海力士12GB低功耗行动DRAM及512GB NAND，高阶款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析师崔贞东（Jeongdong

  当前，半导体已然成为国家科技发展的关键。尤其是随着国产化浪潮进一步推进，国内A股市场半导体领域兼并重组案例时有发生，跨界并购亦是屡见不鲜。前有TCL、海尔、格力、创维等传统家电入局造芯，后有百度、阿里、腾讯等互联网公司跑步进场，此外百货零售企业友阿股份、医药厂商双成药业、工业杀菌剂原药剂企业百傲化学、房地产商皇庭国际等都也都在筹划或正在布局半导体领域。近日，半导体领域又见跨界并购，而这次发起收购的企业是有“温州鞋王”之称的浙江奥康鞋业股份有限公司（以下简称“奥康股份”），其瞄准的是存储芯片领域。“温州鞋王

  SK 海力士被曝赢得博通 HBM 订单，预计明年 1b DRAM 产能将扩大到 16~17 万片

  12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。此公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶

  12 月 11 日消息，美国商务部周二表示，作为2022 年《芯片和科学法案》的一部分，美光科技已获得高达 61.65 亿美元（当前约 448.07 亿元人民币）的拨款，用于在美国制造半导体。该机构表示，这笔资金将支持美光的“二十年愿景”，即在纽约投资约 1000 亿美元、在爱达荷州投资 250 亿美元用于新工厂，并创造约 20,000 个新工作岗位。美国商务部还表示，美光将根据某些里程碑的完成情况逐步获得上述资金。此外，美国商务部还宣布已与美光科技达成初步协议，将额外提供 2.75 亿美元资金，用于扩建

  存储芯片就是存储文件的地方，由于是以芯片的形式存在，所以叫存储芯片。 解码芯片内装有解码软件及播放软件，存储在MP3内的音乐要靠解码芯片来解码后才能播放。 音质的好坏与解码芯片的品质和下载的音乐文件的压缩质量有关，另外跟耳机的品质也有很大关系。 [查看详细]